本设计不仅提供了一种利用离子液体掺杂剂构筑具有大量氧空位、印度亿万非晶结构催化剂的简单策略，而且对碱性溶液中的OER催化机理也进行了深入研究。

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研究指出MABr的加入有助于CsPbBr3的形核和长大，出租并有效钝化CsPbBr3表面缺陷，降低无辐射复合，且CsPbBr3上的MABr能起到平衡电荷注入的效果。红色图四钙钛矿层和电子传输层中插入PMMA阻挡层进一步提高器件性能 (A)钙钛矿层和电子传输层中插入PMMA阻挡层的纯电子纯空穴器件J-V曲线;(B)钙钛矿层和电子传输层中插入PMMA阻挡层的器件结构示意图;(C)插入PMMA阻挡层后器件的电流效率分布统计图;性能最优的钙钛矿LED(D)L-J-V曲线和 (E)EQE-L曲线;(F)钙钛矿LED寿命测试曲线。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，宫殿投稿邮箱[email protected]。

每美金T50 at100cdm-2 isdeterminedtobe10min.ACSNano12,3417-3423(2018)212.1%MAPbBr3J=5mAcm-2,L0:notindicated,T50=135 min.Nat.Commun.9,570(2018)314.36%PEA2(FAPbBr3)n-1PbBr4J=0.5mAcm-2,L0=270cdm-2,T50 =65min。在该研究中，晚收研究人员利用CsPbBr3和MABr(MA=CH3NH3+)在极性溶剂DMSO的溶解度差异较大这一特点，晚收通过在CsPbBr3钙钛矿前驱液中加入MABr添加剂，并精确调控添加剂MABr的量，成功实现钙钛矿层的组分分布调控，得到了表面平整致密，且光电性能优异的具有CsPbBr3@MABr壳核结构的钙钛矿薄膜，器件EQE超过17%。

图三钙钛矿LED器件和性能表征(A)钙钛矿LED器件结构示意图，印度亿万PEDOT:PSS和 B3PYMPM分别作为空穴传输层（HTL）和电子传输层(ETL);(B)钙钛矿LED器件工作图;(C)CsPbBr3、印度亿万MAPbBr3和混合钙钛矿1.0为发光层的器件的CE-V曲线;(D)CsPbBr3和混和钙钛矿1.0的纯电子纯空穴器件的J-V曲线;(E)器件的电流效率分布统计图;(F)性能最佳的混合钙钛矿1.0的EQE-V曲线。

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